李志坚
求助编辑百科名片
李志坚院士
李志坚院士,汉族,浙江宁波人,中共党员。1951年浙江大学物理系毕业,1953 年留学前苏联列宁格勒大学,1958年获物理-数学副博士学位,同年回 国在清华大学无线电电子学系任教,历任半导体教研组主任、微电子学研究副所长、所长,1991年被选为中国科学院院士。曾任国务院学术委员会专业评议组成 员(电子学与通信)、国家教育部科技委专业组组长(电子学与通信)、中国电子学会副理事长、中国电子学会半导体专业分会副主任、清华大学学术委员会委员、 清华大学信息学院学术委员会主任。
中文名: 李志坚(院士)
国籍: 中国
民族: 汉族
出生地: 浙江宁波北仑柴桥
出生日期: 1928年
职业: 科学家
毕业院校: 浙江大学、列宁格勒大学
主要成就: 中国科学院院士
目录
人物简介
人物简历
人物成就
获得荣誉
编辑本段
人物简介
李志坚 李志坚院士作为清华大学微电子所的创建人,作为微电子所最早的博士生导师,多年来培养了一批如今活跃在国内外微电子行业中的专家和学者。他指导的博士生邹 泉波的论文获“首届全国优秀博士论文”,博士生马玉涛的论文获2003年“全国优秀博士论文”。李志坚院士不顾年事已高,不仅对自己所培养的研究生事必亲 躬,而且对微电子所的教学工作也给予了细心关注。李院士一直深受师生爱戴,因他在教学工作中突出贡献,获得了2003年度清华大学“教书育人奖”。
编辑本段
人物简历
李志坚 李志坚,浙江宁波人。
1951年毕业于浙江大学物理系。
1958年获苏联列宁格勒大学物理-数学副博士学位。清华大学教授。
50年代初,在半导体薄膜光电导和光电机理研究中,提出电子晶粒间 界理论,在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。
1959年研制成高超纯多晶硅。
60年代从事硅器件研究,其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果,促进了国内有关的研究和生产。
1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研 究,领导、指导和直接参与了多种静态存储器,8位、16位高速微处理器、EEPROM 和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作,并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。
指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括:系统芯片集成和微电子机械技术。1991当选为中国科学院院士(学部委员)。
2011年5月2日凌晨病逝。
编辑本段
人物成就
李志坚 李志坚院士五十年代进行了薄膜电导和光电导机理的研究,提出了多晶膜晶粒间电子势垒模型。六、七十年代,对中国早期硅器件技术的发展作出了重要贡献,八十 年代,领导研制出硅栅N沟1K、4K静态RAM和8位、16位微处理器等电路。九十年代领导建成我国首条1微米工艺线并研制出1兆位汉字ROM等一批超大 规模集成电路(VLSI),这些成果代表了当时我国集成电路技术的先进水平。李院士倡导并参加发明的超大规模集成电路快速热处理技术与装置获中国和美国专 利三项,他主持的国家重大 李志坚院士科学基金项目——系统集成基础技术研究取得了一批国际一流成果,曾获得国家发明二等奖和国家科技进步二等奖各一次,部委级科技进 步一、二等奖各二次。李院士主编出版了《半导体材料硅》、《MOS大规模集成技术》、《微电子技术中的MOS物理》等书,在国内外发表了论文200余篇。
编辑本段
获得荣誉
李志坚院士曾先后获1979年全国劳动模范称号,1984年国家级 李志坚有突出贡献的中青年专家称号,1997年度陈嘉庚信息科学奖,2000年度“何梁何利” 科技进步奖。[1]