陈启秀

陈启秀（chenQixiu）男，1933 年2月出生，福建福州人．1956年于 浙江大学电机工程系发电厂与电力系统 专业毕业，留校任教，1958年负责筹 建电机工程系电气绝缘与电线技术专 业．1960年浙江大学无线电系正式成 立半导体材料与器件专业，他调往该专 业筹备成众工作，并担任半导体材料与 得件教研室副主任，半导体物理与器件 教研室主任，系务委员会委员，系学术 委员会委员．1987年晋升为教授．现任信息与电子工程系半导 体技术研究室主任，浙江大学功率器件研究所所长，浙江省电子 学会常务理事，浙江省电子学会半异体与集成技术专业委员会主 任，国家科委电力电子技术发展战略研究软课题研究组成员。 陈启秀教授担任过外国进修教师和硕士研究生导师，开设过 电缆理论与设计、半导体器件、晶体管原理、半导体器件物理、 双极与MOS大功率器件理论和微细加工物理学等本科生和研究 生课程，开设并指导过半导体实验，经常下厂指导毕业生的毕业 论文和毕业设计．研究生的课题方向多为新型的双极或MOS器 件物理模型和器件的研究．
陈启秀教授长期从事双极与MOS功率FET的理论、设计 和工艺技术的研究。在半导体功率器件方面，60年代末和70年 代初率先在国内倡导关于功率晶体管二次击穿及其改善措施的研 究，近年来又在国内首创了新型BST高速高压功率开关管．同 时在MOS功率FET的研究方面，在国内首家完成了VV一MOS PowerFET的科研，通过成果鉴定并迅速转让技术到产业部 门，填补了国内生产的空白。与天津市工厂合作进行MOS Power FET项目的研究，由国家经委、国家教委和中国科学院 联合列为“七五”期间100项全国重点攻关项目之一1984年8 月他赴美国作短期访问，考察了美国的微电子工业，1985年12 月又赴美国参加国际电子器件学术会议．此外，他还注意同企业 界的广泛联系与合作，1984年与厂方共同发起成立了浙江大学 菱湖晶体管厂教学、科研、生产联合体，建立了联合体的技术开 发中试基地和教学、科研基地．
陈启秀教授在科研成果鉴定会、省级和全国性的学术会议以 及国际学术会议上共发表30余篇学术论文．其代表性的有：《硅 三端式pnpn宽基区的开键特性与转折特性的分析）)（《第一次全 国半导体器件专业学术会议论文集》，国防工业出版社，1963 年），《功率晶体管的二次击穿及其安全工作区》（《标准化通迅》 1972年第2期），《晶体管的二次击穿及其改善措施》（《全国半 导体硅大功率管抗烧毁技术会议论文集》，1974年， 《VD一MOSFETRon一BVDs关系的研究》（《全国第四届半导体 物理学术会议论文集》，1983年）,AMetalGateTerraced一Gate 0石deSelf--AlignedPowerVD一MOSFET,Preceedingof ICsICT,1986，《掺氧多晶硅薄膜及其应用》（《全国固体薄膜学 术会议论文集》，1988年8月出版）等．他负责的VV一MOS功 率FET技术获1981年中国科学院科技成果二等奖；VD一MOS 功率FET,RFV一MOSFET和GAT的研究1984年分别获浙江 省科技成果二等奖和三等奖；V一MOS功率FET的技术转让， 使天津和杭州的有关工厂同时获1983年国家经委颁发的新产品 金龙奖。目前他正在进行的有新工艺技术的研究，新型双极与 MOS器件及其应用的研究，各种功率模块的研究，混合功率集 成和SmartPowerIC的研究．